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| 氧化镓衬底GaN外延及其垂直结构LED 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 郦伟江
  收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| 基于新型衬底的Ⅲ族氮化物外延及LED器件研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 张翔
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2019/11/12 |
| 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法 专利
专利号: CN109830581A, 申请日期: 2019-05-31, 公开日期: 2019-05-31
作者: 方志来; 吴征远; 田朋飞; 闫春辉; 张国旗
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 高光效LED氮化镓衬底的无损伤机械-化学交互材料微观去除机制研究 项目
项目编号: 51805240, 资助机构: 南华大学, 2019-
作者: 郭剑
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/27 |
| 一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法和激光装置 专利
专利号: CN108923254A, 申请日期: 2018-11-30, 公开日期: 2018-11-30
作者: 贾钊; 赵炆兼; 马祥柱; 张国庆; 陈凯轩
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法 专利
专利号: CN108346675A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者: 云峰; 张思超; 王善力; 陆冰睿
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件 专利
专利号: CN207637802U, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
作者: 范艾杰; 王书昶; 孙智江
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车 专利
专利号: CN207558802U, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
作者: 李华山
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片 专利
专利号: CN207217575U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者: 黄华茂; 杨倬波; 王洪; 胡晓龙
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/12/24 |
