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Single-electron transport through single and coupling dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor
期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 127302
作者:
Xiao-Di Zhang
;
Wei-Hua Han
;
Wen Liu
;
Xiao-Song Zhao
;
Yang-Yan Guo
;
Chong Yang
;
Jun-Dong Chen
;
Fu-Hua Yang
收藏
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浏览/下载：10/0
|
提交时间：2020/08/05
Temperature-dependent subband mobility characteristics in n-doped silicon junctionless nanowire transistor
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 066804
作者:
Ya-Mei Dou
;
Wei-Hua Han
;
Yang-Yan Guo
;
Xiao-Song Zhao
;
Xiao-Di Zhang
;
Xin-Yu Wu
;
Fu-Hua Yang
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2020/08/05
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang YM(杨育梅)
收藏
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2020/11/13
Ballistics
Dielectric materials
Drain current
Gate dielectrics
MOSFET devices
Poisson equation
Shims
Direct current performance
High- k
junctionless
Junctionless transistors
Non-equilibrium green functions
Nonequilibrium green function formalisms
Quantum simulators
Subthreshold characteristics
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang, Yumei
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2019/11/15
High-k spacer
junctionless
nonequilibrium Green function (NEGF)
quantum simulator
The Performance Investigation of Junctionless Transistor by Considering Different Recessed Gates
会议论文
Shenzhen, China, June 6, 2018 - June 8, 2018
作者:
Lou, Haijun
;
Li, Wentao
;
Yang, Yumei
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载：2/0
|
提交时间：2020/11/15
Drain current
Threshold voltage
junctionless
Junctionless transistors
Recessed gate
sidewall
Sidewall angles
Subthreshold
Source/Drain Engineered Charge-Plasma Junctionless Transistor for the Immune of Line Edge Roughness Effect
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 1873-1879
作者:
Wan, Wenbo
;
Lou, Haijun
;
Xiao, Ying
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载：36/0
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提交时间：2019/11/15
Charge-plasma
charge-plasma junctionless transistor (CP-JLT)
line edge roughness (LER)
variation
The immunity of doping-less junctionless transistor variations including the line edge roughness
会议论文
Hong Kong, Hong kong, August 3, 2016 - August 5, 2016
作者:
Wan, Wenbo
;
Lou, Haijun
;
Xiao, Ying
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载：24/0
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提交时间：2020/11/15
Etching
Semiconductor doping
Transistors
Charge plasmas
Electrical characteristic
Etching process
Junctionless
Junctionless transistors
Line Edge Roughness
ON/OFF current ratio
variation
沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究
期刊论文
2016, 2016
胡梦月
;
梁仁荣
;
王敬
;
许军
;
HU Mengyue
;
LIANG Renrong
;
WANG Jing
;
XU Jun
收藏
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浏览/下载：6/0
双栅无结型场效应晶体管的设计与优化
期刊论文
2016, 2016
李为民
;
梁仁荣
;
王敬
;
LI Weimin
;
LIANG Renrong
;
WANG Jing
收藏
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浏览/下载：6/0
The Immunity of Doping-less Junctionless Transistor Variations Including the Line Edge Roughness
会议论文
作者:
Wan, Wenbo
;
Lou, Haijun
;
Xiao, Ying
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载：14/0
|
提交时间：2019/11/15
charge-plasma
Junctionless
LER
variation
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