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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
  收藏 | 浏览/下载：45/0 | 提交时间：2022/02/18
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| 稀氮（Ga(In)AsN）材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 雷琪琪
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 卷号: 47, 期号: 07, 页码: 261-268
作者: 张卓; 宁永强; 张建伟; 张继业; 曾玉刚
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2021/07/06
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| Si杂质诱导 InGaAs_AlGaAs 高功率半导体激光器量子阱混杂的研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 刘翠翠
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/08/05 |
| 1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备 期刊论文
中国激光, 2020, 页码: 14
作者: 张卓; 宁永强; 张建伟; 张继业; 曾玉刚
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2021/07/06
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| 一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪 专利
专利号: CN110247303A, 申请日期: 2019-09-17, 公开日期: 2019-09-17
作者: 张星; 周寅利
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法 专利
专利号: CN110197993A, 申请日期: 2019-09-03, 公开日期: 2019-09-03
作者: 窦志珍; 曹广亮; 刘留; 苏小平
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种高速掩埋DFB半导体激光器及其制备方法 专利
专利号: CN110098562A, 申请日期: 2019-08-06, 公开日期: 2019-08-06
作者: 薛贤铨
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 一种DFB半导体激光器芯片 专利
专利号: CN110086085A, 申请日期: 2019-08-02, 公开日期: 2019-08-02
作者: 薛正群; 吴林福生; 杨重英; 陆绿; 苏辉
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| 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片 专利
专利号: CN107809059B, 申请日期: 2019-07-02, 公开日期: 2019-07-02
作者: 张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤
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