1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备

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	1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备
	张卓 ; 宁永强 ; 张建伟 ; 张继业 ; 曾玉刚 ; 张俊 ; 张星 ; 周寅利 ; 黄佑文 ; 秦莉
刊名	中国激光
	2020
页码	14
关键词	半导体激光器光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器增益芯片应变量子阱
英文摘要	垂直外腔面发射半导体激光器（Vertical-External-Cavity Surface Emitting Lasers-VECSEL）兼具高功率、高光束质量以及波长可调谐等独特优势。1160nm波段VECSEL是医用橙黄激光的基频光源，但是其发光区的高应变InGaAs量子阱带来了严重的应变积累效应，限制了这类激光器的高功率输出。本文提出在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法，保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量；提出含Al吸收层结构降低GaAsP势垒带来的能带阻挡效应，提高了发光区光生载流子注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长在1160nm，输出功率达到1.02W，并获得圆形对称的输出光斑形貌，光斑正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°（FWHM）。
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内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/63974]
专题	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
作者单位	1.中国科学院大学材料与光电研究中心 2.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	张卓,宁永强,张建伟,等. 1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备[J]. 中国激光,2020:14.
APA	张卓.,宁永强.,张建伟.,张继业.,曾玉刚.,...&王立军.(2020).1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备.中国激光,14.
MLA	张卓,et al."1160nm光泵外腔面发射激光器设计及制备".中国激光 (2020):14.