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Improvement of interface morphology and luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells by thermal annealing treatment
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2021, 卷号: 31, 页码: 105057
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Liu, Zongshun
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/03/23
Role of hydrogen treatment during the material growth in improving the photoluminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2021, 卷号: 874, 页码: 159851
作者:
Hou, Yufei
;
Liang, Feng
;
Zhao, Degang
;
Chen, Ping
;
Yang, Jing
;
Liu, Zongshun
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/03/28
Comparison of X-Ray and Proton Irradiation Effects on the Characteristics of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1345-1350
作者:
Lei Wang
;
Ningyang Liu
;
Bo Li
;
Huiping Zhu
;
Xiaoting Shan
;
Qingxi Yuan
;
Xuewen Zhang
;
Zheng Gong
;
Fazhan Zhao
;
Naixin Liu
;
Mengxin Liu
;
Binhong Li
;
Jiantou Gao
;
Yang Huang
;
Jianqun Yang
;
Xingji Li
;
Jiajun Luo
;
Zhengsheng Han, and Xinyu
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/06/28
Investigations on the Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Varying GaN Cap Layer Thickness
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2020, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 191
作者:
Xiaowei Wang
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/05/24
Comparative Study on the Luminescence Properties of Violet Light-Emitting InGaN/GaN Multiple Quantum Wells with Different Barrier Thickness
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2020, 卷号: 49, 期号: 6, 页码: 3877-3882
作者:
Wei Liu
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Jing Yang
;
Desheng Jiang
;
Jianjun Zhu
;
Zongshun Liu
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2021/06/28
Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4
作者:
Li,Yangfeng
;
Die,Junhui
;
Yan,Shen
;
Deng,Zhen
;
Ma,Ziguang
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浏览/下载:110/0
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提交时间:2019/05/09
Xrd
Mqws
Interface roughness
Effect of strain relaxation on performance of InGaN/GaN green LEDs on 4-inch
期刊论文
Scientific Reports, 2019, 卷号: 9, 期号: 9
作者:
H.P.Hu
;
S.J.Zhou
;
H.Wan
;
X.T.Liu
;
N.Li
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
light-emitting-diodes,gan,efficiency,stress,aln,Science & Technology - Other Topics
Effects of photo generated carriers in GaN layers on the photoluminescence characteristics of violet light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
Materials Research Express, 2019, 卷号: 6, 页码: 076203
作者:
Wei Liu
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Jing Yang
;
Desheng Jiang
;
Jianjun Zhu
;
Zongshun Liu
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/07/31
Enhance the electroluminescence efficiency of InGaN/GaN multiple quantum wells by optimizing the growth temperature of GaN barriers
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 806, 页码: 1077-1080
作者:
Xiaowei Wang
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/08/04
Effect of dual-temperature-grown InGaN/GaN multiple quantum wells on luminescence characteristics
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2019, 卷号: 790, 页码: 197-202
作者:
Xiaowei Wang
;
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Wenjie Wang
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/08/05
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