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Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
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Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 6
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31
高效率大功率LED的材料外延和器件研制 学位论文
2013, 2012
张洁
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/14
High concentration InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with a peak open circuit voltage of 2.45 V 期刊论文
Chin. Phys. Lett., 2012, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 068801
作者:  JianFeng Wang (王建峰)
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/01/16
Tunable the emission wavelength of InGaN/GaN multi-quantum wells employing strain-accommodative structures 期刊论文
LED AND DISPLAY TECHNOLOGIES, 2010, 卷号: 7852
Wang, XL; Jia, HQ; Jiang, Y; Ma, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Li, H; He, T; Dai, LG; Chen, H
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Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes 期刊论文
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 2009, 卷号: 29, 期号: 6, 页码: 1441-1444
作者:  Chen, WH;  Liao, H;  Hu, XD;  Li, R;  Jia, QJ
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InGaN/GaN multi-quantum dot light-emitting diodes 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 114
Ji, LW; Su, YK; Chang, ST; Chang, CS; Wu, LW; Lai, WC; Du, XL; Chen, H
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