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| 一种GaAs基HBT垂直腔面发射激光器 专利 专利号: CN104752952B, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2018-05-08 作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究 期刊论文 2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8178-8182 作者: 刘雪飞; 罗子江; 周勋; 王继红; 魏杰敏
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| 16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究 期刊论文 2018, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 8178-8182 作者: 刘雪飞; 罗子江; 周勋; 王继红; 魏杰敏
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| 双金属波导结构的太赫兹量子级联激光器制备方法及激光器 专利 专利号: CN107528214A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29 作者: 祁昶; 石新智; 叶双莉; 艾勇
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| In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 期刊论文 光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2 作者: 玛丽娅; 郭旗; 艾尔肯; 李豫东; 李占行; 文林; 周东; 郭旗 ; 李豫东![](/image/person.jpg)
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| 铟掺杂砷化镓材料的光电特性研究 学位论文 : 西安理工大学, 2017 作者: 王丹萍
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| In0.22Ga0.78As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究 期刊论文 光学学报, 2017, 卷号: 37, 期号: 2, 页码: 0216002-1-0216002-8 作者: 玛丽娅; 郭旗; 艾尔肯; 李豫东; 李占行
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| 一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利 专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01 作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| AlGaInP-LED微阵列器件的设计与实验研究 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2015 作者: 田超
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| 宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2015 作者: 王丹丹
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