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GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119
作者:
Chen, Xiren[1]
;
Xing, Junliang[2]
;
Zhu, Liangqing[3]
;
Zha, F.X.[4]
;
Niu, Zhichuan[5]
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/04/26
GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence
期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 17, 页码: 175301
Xiren Chen
;
Junliang Xing
;
Liangqing Zhu
;
F.-X. Zha
;
Zhichuan Niu
;
Shaoling Guo
;
Jun Shao
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/03/16
Landau level transitions in InAs/AlSb/GaSb quantum wells
期刊论文
2015, 卷号: 24
作者:
Wu, Xiao-Guang
;
Pang, Mi
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提交时间:2019/12/20
Landau level
quantum well
electron-hole hybridization
Investigation of interfaces in AlSb/InAs/Ga0.71In0.29Sb quantum wells by photoluminescence
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 123107
Xing, JL
;
Zhang, Y
;
Liao, YP
;
Wang, J
;
Xiang, W
;
Hao, HY
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2015/03/20
Electron mobility in modulation-doped alsb/inas quantum wells
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2021/02/02
Electronic band structure of a type-ii 'w' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Yu Xiu
;
Gu Yong-Xian
;
Wang Qing
;
Wei Xin
;
Chen Liang-Hui
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Type-ii 'w' quantum well
Burt-foreman hamiltonian
Finite element methods
Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703
作者:
Zhang Y
;
Li YB
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING
LOW-POWER APPLICATIONS
TRANSPORT-PROPERTIES
INTERFACE ROUGHNESS
INAS/ALSB HEMTS
HETEROSTRUCTURES
INAS
TRANSISTORS
GAS
LAYERS
Electronic band structure of a type-II 'W' quantum well calculated by an eight-band k center dot p model
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.30507
Yu X
;
Gu YX
;
Wang Q
;
Wei X
;
Chen LH
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/06
type-II 'W' quantum well
Burt-Foreman Hamiltonian
finite element methods
LASERS
ALLOYS
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
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