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| Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利 专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23 作者: 舒斌; 吴继宝; 古牧; 范林西; 陈景明
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| Si-Ge层状结构的三能级系统光发射 会议论文 中国江苏南京, 2016-06-16 作者: 董泰阁; 黄伟其; 王刚; 吴学科; 黄忠梅
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| 硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2014 -
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利 专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29 作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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| 埋置量子点应力分布的有限元分析 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200908069&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012 周旺民; 蔡承宇; 王崇愚; 尹姝媛
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| 基于串联模型的Si/Ge超晶格法热导率 会议论文 中国工程热物理学会, 2012 冯媛; 梁新刚; 鞠生宏
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| Si基Ge材料的外延生长、原位掺杂及其光电性质 学位论文 2012, 2012 陈城钊
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| 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长 期刊论文 2012 陈城钊; 郑元宇; 黄诗浩; 李成; 赖虹凯; 陈松岩
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| Si基硒微纳结构的制备及光电特性研究 学位论文 2011, 2011 潘书万
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| III族氮化物应变量子结构及其特性调控 学位论文 2011, 2010 林伟
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/02/14
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