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The open-pin failure of power device under the combined effect of thermo-migration and electro-migration
期刊论文
Chinese Science Bulletin, 2020, 卷号: 65, 期号: 20, 页码: 2169-2177
作者:
Gao Liyin
;
Li Caifu
;
Cao Lihua
;
Liu Zhiquan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2021/02/03
Impact of electrical stress on total ionizing dose effects on graphene nano-disc non-volatile memory devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 期号: 11, 页码: 1-5
作者:
Xi, K (Xi, K.)[ 1 ]
;
Bi, JS (Bi, J. S.)[ 1,2 ]
;
Xu, YN (Xu, Y. N.)[ 1 ]
;
Li, YD (Li, Y. D.)[ 3 ]
;
Zhang, ZG (Zhang, Z. G.)[ 4 ]
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/01/05
In situ Condition Monitoring of IGBT Based on Miller Plateau Duration
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 769-782
作者:
Liu, Jingcun
;
Zhang, Guogang
;
Chen, Qian
;
Qi, Lu
;
Geng, Yingsan
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/11/19
Accelerated aging test
Closed-form expression
Gate oxide degradation
High electric field stress
Multiple failure mechanisms
On line measurement system
Online condition monitoring
Semiconductor device reliability
A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs
期刊论文
RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5
作者:
Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ]
;
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ]
;
Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2020/03/20
Hot carrier effect
PMOS
Total ionizing dose effect
Organic-semiconductor: Polymer-electret blends for high-performance transistors
期刊论文
Nano Research, 2018, 卷号: 11, 页码: 5835-5848
作者:
Wei, Peng
;
Li, Shengtao
;
Li, Dongfan
;
Yu, Han
;
Wang, Xudong
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
Blending organic semiconductors
C12-BTBT
Commercial applications
Double layer structure
Field-effect mobilities
Gate stress
Organic electronics
Vertical phase separations
The TDDB Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide MOS Capacitors under Constant Voltage Stress and Substrate Hot-Carrier Injection
期刊论文
2018
作者:
Shen, Jingyu
;
Tan, Can
;
Jiang, Rui
;
Li, Wei
;
Fan, Xue
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/09
Trapping Effects Induced by Gate OFF-State Stress in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe-Doped Buffer
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 7479-7483
作者:
Hao, Meilan
;
Wang, Quan
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Changxi
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/11
AlGaN/GaN HEMT
Pulsed I-V
Trapping
Gate OFF-State Stress
Fe-Doped
Buffer
Structure determination and activity manipulation of the turfgrass ABA receptor FePYR1
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7
作者:
Ren, Zhizhong
;
Wang, Zhen
;
Zhou, X. Edward
;
Shi, Huazhong
;
Hong, Yechun
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/01/08
半导体器件的制造方法
专利
专利号: US9773707, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2016-12-29
作者:
赵超
;
李俊峰
;
刘金彪
;
王桂磊
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/07/18
Common readout subsystem for the belle ii experiment and its performance measurement
期刊论文
Ieee transactions on nuclear science, 2017, 卷号: 64, 期号: 6, 页码: 1415-1419
作者:
Yamada, Satoru
;
Itoh, Ryosuke
;
Konno, Tomoyuki
;
Liu, Zhen'an
;
Nakao, Mikihiko
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/04/23
Belle ii
Data acquisition (daq)
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