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基于GaN器件的宽输入LLC谐振变换器研究
学位论文
中国科学院深海科学与工程研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:
徐子硕
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2024/06/13
GaN器件
LLC谐振变换器
宽输入电压范围
软开关
Paralleled GaN DHEMTs integrated cascode GaN switch for high-current applications
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 899-900
作者:
Zhu, Tianhua
;
Zhuo, Fang
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/11/19
high-current applications
wire bonding
power density
avalanche-suppressed method
gallium compounds
GaN
integral package
lead bonding
single gate driver
field effect transistor switches
MOSFET
DHEMT integrated cascode switch
high electron mobility transistors
paralleled depletion-mode high-electron-mobility transistors
wide band gap semiconductors
cascode transistors
silicon-MOSFET
Si
potential unbalanced current sharing
cost reduction
optimised symmetric configuration
high-current cascode gallium nitride switch
III-V semiconductors
semiconductor device packaging
High performance monolithically integrated GaN Driving VMOSFET on LED (EI收录)
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: 38, 页码: 752-755
作者:
Lu, Xing[1]
;
Liu, Chao[2]
;
Jiang, Huaxing[2]
;
Zou, Xinbo[2]
;
Lau, Kei May[2]
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/04/24
Field effect transistors
Gallium nitride
Integration
Monolithic integrated circuits
MOSFET devices
Semiconductor diodes
Semiconductor junctions
Transistors
Wide band gap semiconductors
High Performance Metal-Gate/High-kappa GaN MOSFET With Good Reliability for Both Logic and Power Applications
期刊论文
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY, 2016
Yi, Shih-Han
;
Ruan, Dun-Bao
;
Di, Shaoyan
;
Liu, Xiaoyan
;
Wu, Yung Hsien
;
Chin, Albert
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2017/12/04
GaN
MOSFET
high-kappa
reliability
interface
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
INSULATOR
Research of Optimal Parameters in MOSFET Structure based on Wide Band Gap Semiconductor Material GaN
会议论文
28th Chinese Control and Decision Conference, 2016-01-01
作者:
Shen, Hongyuan[1]
;
Yang, Jie[2]
;
Yuan, Zhenyu[3]
;
Ye, Ning[4]
;
Di, Jia[5]
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/04/26
GaN
Optimal Parameters
High-Temperature Environment
Improvement of device isolation using field implantation for GaN MOSFETs
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2016, 卷号: 31
作者:
Jiang, Ying
;
Wang, Qingpeng
;
Zhang, Fuzhe
;
Li, Liuan
;
Shinkai, Satoko
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/09
GaN MOSFET
field isolation
ion implantation
low off-state drain current
EMI Modeling and Experiment of a GaN Based LLC Half-Bridge Converter
会议论文
作者:
Tian, Mofan
;
Hao, Yuan
;
Wang, Kangping
;
Xuan, Yang
;
Huang, Lang
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/02
DC-DC converter
EMI
GaN Mosfet
layout
A self-aligned gate GaN MOSFET using an ICP-assisted low-temperature Ohmic process
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 页码: -
作者:
Wang, Qingpeng
;
Jiang, Ying
;
Zhang, Jiaqi
;
Kawaharada, Kazuya
;
Li, Liuan
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/09
self-aligned gate
GaN MOSFET
inductively coupled plasma
low-temperature Ohmic
Gate-first GaN MOSFET based on dry-etching-assisted non-annealing ohmic process
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 页码: -
作者:
Wang, Qingpeng
;
Jiang, Ying
;
Zhang, Jiaqi
;
Li, Liuan
;
Kawaharada, Kazuya
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
Effects of recess process and surface treatment on the threshold voltage of GaN MOSFETs fabricated on a AlGaN/GaN heterostructure
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 页码: -
作者:
Wang, Qingpeng
;
Jiang, Ying
;
Zhang, Jiaqi
;
Kawaharada, Kazuya
;
Li, Liuan
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/09
GaN MOSFET
recess gate
etching damage
enhancement mode
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