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| CsPbI_3/ZnO/GaN纳米复合结构制备及其电致发光特性 期刊论文 发光学报, 2021, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1748-1755 作者: 周啸宇; 张晶; 赵风周; 楚新波; 贺顺立
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| CsPbI_3/ZnO/GaN纳米复合结构制备及其电致发光特性 期刊论文 发光学报, 2021, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 1748-1755 作者: 周啸宇; 张晶; 赵风周; 楚新波; 贺顺立
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| 蓝宝石衬底上AlGaN_GaN二维电子气结构的剥离研究 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 郭芬
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 陈思远
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| 氧化镓衬底GaN外延及其垂直结构LED 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 郦伟江
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| 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利 专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威
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| 可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法 专利 专利号: CN110265875A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 苏小平; 窦志珍; 曹广亮; 刘留
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| 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 专利 专利号: CN110265864A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20 作者: 应磊莹; 王灿; 张保平; 许荣彬; 徐欢
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| 一种基于硅基氮化镓和二硫化钨单层膜的二维激子激光器及其制备方法 专利 专利号: CN110233427A, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13 作者: 蔡玮; 韩冰; 王新迪
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| GaN基激光器及其制备方法 专利 专利号: CN107204567B, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20 作者: 赵德刚; 梁锋
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