| GaN基激光器及其制备方法 | |
| 赵德刚; 梁锋 | |
| 2019-08-20 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN107204567B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN基激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基激光器的制备方法，其包括以下步骤：S1：在氮化镓衬底上依次生长n型限制层、下波导层、量子阱有源区、复合上波导层、p型电子阻挡层、p型限制层、p型欧姆接触层；S2：将p型欧姆接触层、p型限制层、p型电子阻挡层和复合上波导层刻蚀成激光器脊型；S3：在制作成的脊型上生长一层氧化膜，并采用光刻的方法制作p型欧姆电极；S4：将氮化镓衬底减薄、清洗，并在上面制作n型欧姆接触电极；S5：进行解理、镀膜，然后封装在管壳上，制成一种具有复合上波导层的氮化镓基激光器，完成制备。本发明还提供了一种氮化镓基激光器。本发明可以提高电子阻挡层的有效势垒，提高光功率和斜率效率。 |
| 公开日期 | 2019-08-20 |
| 申请日期 | 2017-07-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49460]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚,梁锋. GaN基激光器及其制备方法. CN107204567B. 2019-08-20. |
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