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Evidence of defect-annealing effect in swift heavy-ion-irradiated indium phosphide
期刊论文
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2022, 页码: 9
作者:
Hu, Peipei
;
Xu, Lijun
;
Zhai, Pengfei
;
Zeng, Jian
;
Zhang, Shengxia
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提交时间:2022/04/11
defect-annealing
heavy ions
InP
Raman intensity
Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si
期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2022, 卷号: 55, 期号: 40, 页码: 9
作者:
J. Z. Liu
;
M. C. Tang
;
H. W. Deng
;
S. Shutts
;
L. F. Wang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2023/06/14
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16
作者:
P. Steindl
;
E. M. Sala
;
B. Alen
;
D. Bimberg and P. Klenovsky
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Quantum Confined Indium-Rich Cluster Lasers with Polarized Dual-Wavelength Output
期刊论文
Acs Photonics, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 1990-1995
作者:
Q.N.Yu
;
M.Zheng
;
H.X.Tai
;
W.Lu
;
Y.Shi
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2020/08/24
InGaAs/GaAs,strains,quantum confined lasers,indium-rich clusters,dual wavelengths,polarization,surface-emitting laser,semiconductor-laser,temperature-dependence,segregation,emission,growth,si,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Optics,Physics
Effect of growth temperature of GaAs Sb 1− metamorphic buffer layer on electron mobility of InAs/AlSb heterostructures grown on Si substrate
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 118102
作者:
Jing Zhang
;
Hong-Liang Lv
;
Hai-Qiao Ni
;
Shi-Zheng Yang
;
Xiao-Ran Cui
;
Zhi-Chuan Niu
;
Yi-Men Zhang and Yu-Ming Zhang
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2020/07/30
InGaAs-Based Well-Island Composite Quantum-Confined Structure with Superwide and Uniform Gain Distribution for Great Enhancement of Semiconductor Laser Performance
期刊论文
ACS PHOTONICS, 2018, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 4896-4902
作者:
Wu, Jian
;
Ning, Yongqiang
;
Zhang, Xing
;
Zheng, Ming
;
Lu, Wei
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/05/22
tunable semiconductor lasers
well-island composite quantum-confined structure
In GaAs/GaAs material
gain characteristics
flat top
indium-rich islands
Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:
Ajima, Yoshiaki
;
Nakamura, Yuki
;
Murakami, Kenta
;
Teramoto, Hideo
;
Jomen, Ryota
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/03/27
Optically pumped low threshold InAs/GaAs quantum-dot micropillar laser on Si (001) hollow substrate
会议论文
作者:
Zhang, Bin
;
Wei, Wei-Qi
;
Wang, Jian-Huan
;
Cong, Hui
;
Wang, Ting
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/05
Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2017, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 220-+
作者:
Guo Chun-Yan
;
Xu Jian-Xing
;
Peng Hong-Ling
;
Ni Hai-Qiao
;
Wang Tao
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2017/06/06
on-chip THz antenna integrated device
LT-GaAs
epitaxial layer transfer
wet chemical etching
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures
期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:
Yu, J. L.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Cheng, S. Y.
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提交时间:2019/11/21
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