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| 光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略 期刊论文
化学进展, 2020, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 1368-1375
作者: 张旭强; 吕功煊
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| 一种光电器件半导体激光器芯片的台面用钝化膜 专利
专利号: CN208970927U, 申请日期: 2019-06-11, 公开日期: 2019-06-11
作者: 于志远; 司智春; 季安; 黄永光
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| 半导体激光器 专利
专利号: CN208874056U, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 董海亮; 米洪龙; 许并社; 梁建; 贾志刚
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| 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 专利
专利号: CN102916338B, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 周路; 王云华; 薄报学; 高欣; 乔忠良
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| 在Ge 衬底上生长GaAs 外延薄膜的方法 专利
申请日期: 2018-08-28,
作者: 贾少鹏,何巍,陆书龙
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| 砷化镓激光巴条 专利
专利号: CN207588214U, 申请日期: 2018-07-06, 公开日期: 2018-07-06
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 单片磷化铟在硅上生长用于光电子学 科技动态
2018
作者: yaoxn@llas.ac.cn
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| 砷化镓激光巴条及其制备方法 专利
专利号: CN107732650A, 申请日期: 2018-02-23, 公开日期: 2018-02-23
作者: 董海亮; 米洪龙; 梁建; 许并社; 关永莉
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| 一种柔性衬底GaAs 薄膜电池及其制备方法 专利
申请日期: 2018-02-13,
作者: 谭明,陆书龙,代盼,吴渊渊,季莲
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| GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法 专利
专利号: CN104953469B, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2018-02-09
作者: 杜国同; 史志锋; 董鑫; 张源涛; 张宝林
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