| GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法 | |
| 杜国同; 史志锋; 董鑫; 张源涛; 张宝林 | |
| 2018-02-09 | |
| 著作权人 | 大连芯冠科技有限公司 |
| 专利号 | CN104953469B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p‑NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里‑珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。 |
| 公开日期 | 2018-02-09 |
| 申请日期 | 2015-04-30 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49271]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 大连芯冠科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜国同,史志锋,董鑫,等. GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件及其制备方法. CN104953469B. 2018-02-09. |
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