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Point-defect-induced colossal dielectric behavior in GaAs single crystals
期刊论文
RSC ADVANCES, 2017, 卷号: 7, 期号: 42, 页码: 26130-26135
作者:
Yu, Y.
;
Zhang, N.
;
Wang, H.
;
Zhu, M.
;
Li, Y. D.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/11/24
Influence of EL2 deep level on photoconduction of semi-insulating GaAs under ultrashort pulse photoinjection
期刊论文
2016, 卷号: 13
作者:
Shi, Wei
;
Xie, Guangyong
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/20
EL2
defect
semi-insulating GaAs
ultrashort pulse laser
carrier lifetime
photoconduction
First-principles study on the effects of the intrinsic defects in GaAs saturable absorber
会议论文
International Symposium on Optoelectronic Technology and Application (IPTA) - Infrared Technology and Applications, MAY 13-15, 2014
作者:
Ma, Xiaoyang
;
Li, Dechun
;
Zhao, Shengzhi
;
Cong, Wen
;
Li, Guiqiu
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  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
First-principles
Hybrid functional
EL2 deep-level defect
GaAs point
defects
First principles study of the ternary complex model of EL2 defect in GaAs saturable absorber
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2012, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6258-6266
作者:
Li, Dechun
;
Yang, Ming
;
Cai, Yongqing
;
Zhao, Shengzhi
;
Feng, Yuanping
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/23
First-principle study of the native defects in GaAs saturable absorbers
期刊论文
MOLECULAR SIMULATION, 2010, 卷号: 36, 期号: 14, 页码: 1141-1147
作者:
Tang, Wenjing
;
Li, Dechun
;
Zhao, Shengzhi
;
Li, Guiqiu
;
Yang, Kejian
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/26
EL2 defect
formation energy
defect energy level
density of states
elastic properties
Properties of deep levels and photorefractive effect in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown in low temperature
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 117
Huang, Q
;
Guo, LW
;
Zhang, MH
;
Zhang, YF
;
Han, YJ
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/24
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
DEFECT
TRAP
EL2
Observation of EL2 and additional deep levels at low temperature in an AlGaAs/GaAs multiple-quantum-well structure
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 77, 期号: 5, 页码: 702
Zhang, YF
;
Zhuo, Q
;
Zhang, MH
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/24
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRON TRAP
UNDOPED GAAS
DEFECT
First-principles calculations of the As-Ga electronic structures
期刊论文
1998
Zhang, Z. P.
;
Wu, C. X.
;
Shen, Y. W.
;
Huang, M. C.
;
吴晨旭
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/12/12
ARSENIC-ANTISITE DEFECT
EL2 DEFECT
IDENTIFICATION
METASTABILITY
SYMMETRY
First-principles calculations of the As-Ga electronic structures
期刊论文
1998
Zhang, Z. P.
;
Wu, C. X.
;
Shen, Y. W.
;
Huang, M. C.
;
黄美纯
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/12/12
ARSENIC-ANTISITE DEFECT
EL2 DEFECT
IDENTIFICATION
METASTABILITY
SYMMETRY
Double donor behavior of EL2 defect in photoquenching experiment
期刊论文
rare metals, 1998, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 129
周滨
;
杨锡权
;
王占国
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/23
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