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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 控制阀值电压特性的CMOSFET器件结构及其制造方法 专利 专利号: US8410541, 申请日期: 2013-04-02, 公开日期: 2011-01-27 作者:  王文武;  朱慧珑;  陈世杰;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/09/30 控制器件阀值电压的CMOSFET结构及其制造方法 专利 专利号: US8410555, 申请日期: 2013-04-02, 公开日期: 2010-12-29 作者:  王文武;  朱慧珑;  陈世杰;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/09/30 用于粒子探测器的CMOS FET采样保持电路的设计与仿真(英文)；Design and Simulation of Track/Hold Circuit with CMOS FET for Particle Detector 期刊论文 原子核物理评论, 2010, 卷号: 27, 期号: 04, 页码: 459-463 WEMBE TAFO Evariste; 苏弘; 千奕; 周朝阳; 王同喜 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/04/20 采样保持  Cmos场效应管  峰值  仿真   A three-dimensional stacked Fin-CMOS technology for high-density ULSI circuits 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2005 Wu, XS; Chan, PCH; Zhang, SD; Feng, CG; Chan, M 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 CMOSFET  FinFET  silicon-on-insulator (SOI)  three-dimensional integrated circuits (3-D IC)  GATE