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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：113/4  |  提交时间：2011/07/05 CL  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Nonpolar  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ACCEPTOR PAIR EMISSION  PHASE EPITAXY  GROWN GAN  SEMICONDUCTORS  SAPPHIRE  FILMS  NITRIDE   Study on corrosion resistance properties of hydrothermal sealed arc sprayed aluminium coating 期刊论文 SURFACE ENGINEERING, 2010, 卷号: 26, 页码: 399-406 作者:  Liu, L. M.;  Wang, Zh.;  Song, G. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 Arc sprayed aluminium coating  Hydrothermal sealing treatment  Corrosion resistance  Aluminium hydroxide   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文 10th international conference on metalorganic vapor phase epitaxy (icmovpe-x), sapporo, japan, jun 05-09, 2000 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION