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一种微通道半导体激光器芯片结构及其制作方法 专利
专利号: CN108512031A, 申请日期: 2018-09-07, 公开日期: 2018-09-07
作者:  苏建;  朱振;  夏伟;  李沛旭;  徐现刚
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一种685nmAlGaInP红光半导体激光器 专利
专利号: CN108092132A, 申请日期: 2018-05-29, 公开日期: 2018-05-29
作者:  朱振;  张新;  徐现刚
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一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 专利
专利号: CN106340806A, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
作者:  酉艳宁
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一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器 专利
专利号: CN106300012A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
作者:  李沛旭;  徐现刚;  朱振;  张新;  苏建
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AlGaInP-based semiconductor laser 专利
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:  HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU;  SASAKI, SHINJI;  KAWANAKA, SATOSHI
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基于金属背支撑刻蚀技术的柔性AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池研制 期刊论文
半导体光电, 2016, 卷号: 37, 页码: 688-693
作者:  卢建娅[1];  谭明[2];  杨文献[3];  陆书龙[4];  张玮[5]
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AlGaInP-LED微阵列器件的设计与实验研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者:  田超
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GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7
作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX
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半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法 专利
专利号: CN101022207B, 申请日期: 2012-06-27, 公开日期: 2012-06-27
作者:  宫嵜启介
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Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101
作者:  S.Z. Yu（于淑珍）;  Y.M. Zhao（赵勇明）;  H. Yang(杨辉);  J.R. Dong（董建荣）
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