| 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 | |
| 酉艳宁 | |
| 2017-01-18 | |
| 著作权人 | 北京青辰光电科技有限公司 |
| 专利号 | CN106340806A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。 |
| 公开日期 | 2017-01-18 |
| 申请日期 | 2016-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63711]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京青辰光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 酉艳宁. 一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法. CN106340806A. 2017-01-18. |
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