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| 1.3 μm VCSEL结构制作研究 学位论文
硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
谢正生
  收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2012/03/06
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| 面発光半導体レーザ 专利
专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
作者: 竹ノ内 弘和; 舘野 功太; 大礒 義孝; 伊藤 義夫; 天野 主税
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征 期刊论文
核技术, 2002, 期号: 10, 页码: 775-778
作者: 王勇; 贾海强; 王文充; 刘翠秀; 陈向明
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2015/12/25
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| 面発光型半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3123846B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-15
作者: 三宅 輝明; 茨木 晃; 古沢 浩太郎; 石川 徹
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 垂直腔面发射激光器的研制及其特性分析 学位论文
博士, 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2000
晏长岭
收藏 | 浏览/下载：67/0 | 提交时间：2012/03/21
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| 半導体多層膜反射鏡 专利
专利号: JP2973612B2, 申请日期: 1999-09-03, 公开日期: 1999-11-08
作者: 坂 貴; 廣谷 真澄; 加藤 俊宏; 諏澤 寛源
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP1999186653A, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-07-09
作者: 向原 智一; 岩井 則広; 粕川 秋彦
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1998233557A, 申请日期: 1998-09-02, 公开日期: 1998-09-02
作者: 高橋 孝志
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 面発光レーザー 专利
专利号: JP1998079555A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24
作者: 大澤 康宏
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| MOVPE生长AlAs/GaAs Bragg反射膜 期刊论文
人工晶体学报, 1998, 卷号: 27, 期号: 1
作者: 黄根生; 王成新; 黄柏标; 崔得良; 高善民
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/14
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