| 面発光半導体レーザ | |
| 竹ノ内 弘和; 舘野 功太; 大礒 義孝; 伊藤 義夫; 天野 主税; 黒川 隆志 | |
| 2003-09-05 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP3469051B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 より容易に面発光半導体レーザを作製できるようにする。 【解決手段】 クラッド層105上には、アモルファス状態のp形のGaAsとAlAsとが交互に積層された、多層膜反射鏡構造の光反射層106が形成されている。 |
| 公开日期 | 2003-11-25 |
| 申请日期 | 1997-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83491]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹ノ内 弘和,舘野 功太,大礒 義孝,等. 面発光半導体レーザ. JP3469051B2. 2003-09-05. |
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