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Modulating Electrical Performances of In2O3 Nanofiber Channel Thin Film Transistors via Sr Doping
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 10
作者:
Song, Longfei
;
Luo, Linqu
;
Li, Xuan
;
Liu, Di
;
Han, Ning
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2019/06/14
enhancement mode
high performance
In2O3 nanofiber
inverter
Sr element
Investigation of the relationship between the total dose effect and thickness of Al2O3 gate dielectric under gamma-ray irradiation
会议论文
作者:
Li DL(李多力)
;
Zhu HP(朱慧平)
;
Chen X(陈曦)
;
Zheng ZS(郑中山)
;
Li B(李博)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/13
Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing
期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9
作者:
Jiang, Shanshan
;
He, Gang
;
Liu, Mao
;
Zhu, Li
;
Liang, Shuang
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2019/06/10
electrical properties
forming gas annealing
high-k gate dielectrics
interface chemistry
metal-oxide-semiconductor capacitors
A comparative study on top-gated and bottom-gated multilayer MoS2transistors with gate stacked dielectric of Al2O3/HfO2
期刊论文
Nanotechnology, 2018, 卷号: 29, 期号: 24
作者:
Zou, Xiao
;
Xu, Jingping
;
Huang, Hao
;
Zhu, Ziqang
;
Wang, Hongjiu
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/05
A comparative study on top-gated and bottom-gated multilayer MoS2 transistors with gate stacked dielectric of Al2O3/HfO2
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 24
作者:
Zou, Xiao
;
Xu, Jingping
;
Huang, Hao
;
Zhu, Ziqang
;
Wang, Hongjiu
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
multilayer MoS2
field-effect transistors
stacked dielectrics
encapsulation
reliability
Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 2
作者:
Ma, Pengfei
;
Du, Lulu
;
Wang, Yiming
;
Jiang, Ran
;
Xin, Qian
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/11
Interface chemistry and electronic structure of ALD-derived HfAlO/Ge gate stacks revealed by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 716, 期号: 无, 页码: 1-6
作者:
He, Gang
;
Jiang, Shanshan
;
Li, Wendong
;
Zheng, Changyong
;
He, Huaxin
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2018/05/25
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Interface Stability
Phase Separation
Annealing Temperature
In situ study on the thermal stability and interfaces properties of er2o3/al2o3/si multi stacked films by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2017, 卷号: 104, 页码: 415-421
作者:
Gao, Baolong
;
Mamat, Mamatrishat
;
Ghupur, Yasenjan
;
Ablat, Abduleziz
;
Ibrahim, Kurash
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/04/23
High-k dielectric
Pld
Er2o3
Xps
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513
作者:
Gao, J.
;
He, G.
;
Liu, M.
;
Lv, J. G.
;
Sun, Z. Q.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/11/21
High-k Dielectric
Interface Thermal Stability
Atomic-layer-deposition
Band Alignment
Electrical Properties
Leakage Current Mechanism
All-Aluminum Thin Film Transistor Fabrication at Room Temperature
期刊论文
Materials, 2017, 卷号: 10, 期号: 3
作者:
Yao, R. H.
;
Z. K. Zheng
;
Y. Zeng
;
X. Z. Liu
;
H. L. Ning
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/06/13
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