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	Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric
	Ma, Pengfei; Du, Lulu; Wang, Yiming; Jiang, Ran; Xin, Qian; Li, Yuxiang; Song, Aimin
刊名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	2018
卷号	112期号:2
DOI	10.1063/1.5003662
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4567145
专题	山东大学
作者单位	Shandong Univ, Ctr Nanoelect, Jinan 250100, Shandong, Peoples R
推荐引用方式 GB/T 7714	Ma, Pengfei,Du, Lulu,Wang, Yiming,et al. Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2018,112(2).
APA	Ma, Pengfei.,Du, Lulu.,Wang, Yiming.,Jiang, Ran.,Xin, Qian.,...&Song, Aimin.(2018).Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric.APPLIED PHYSICS LETTERS,112(2).
MLA	Ma, Pengfei,et al."Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric".APPLIED PHYSICS LETTERS 112.2(2018).

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