|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种VCSEL阵列结构 专利
专利号: CN209329393U, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
作者: 彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮
  收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种激光器芯片、光发射组件、光模块及网络设备 专利
专利号: WO2019128341A1, 申请日期: 2019-07-04, 公开日期: 2019-07-04
作者: 程远兵; 余长亮; 李书; 杨素林; 李胜平
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 姬庆刚
收藏 | 浏览/下载：60/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 席善学
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/07/15
|
| 一种VCSEL阵列结构及其制备方法 专利
专利号: CN109713566A, 申请日期: 2019-05-03, 公开日期: 2019-05-03
作者: 彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩 ; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/06/21
|
| 体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者: 席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹
收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2020/03/19
|
| 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 专利
专利号: CN108736314A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 王鹏飞; 孟芳媛
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201310184801.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-11-26
作者: 唐兆云; 闫江; 唐波; 贾宬; 王大海
收藏 | 浏览/下载：52/0 | 提交时间：2019/03/22 |
