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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构能谱及其调控 学位论文
: 湖南大学, 2017
作者:  廖高华
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一种低温生长变组分镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利
专利号: 201510295832.5, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-06-27
作者:  1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
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一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法 专利
专利号: 201510295876.8, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-09-22
作者:  1 王洋 2 胡淑红 3 吕英飞4戴宁
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用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文) 期刊论文
电子器件, 2011, 期号: 01
孙浩; 齐鸣; 艾立鹍; 徐安怀; 滕腾; 朱福英
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Carius管密封溶样－等离子体质谱法测定环境样品中镓、锗、砷、硒、镉、锡、锑、碲、汞、铅和铋 期刊论文
分析化学, 2010, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 581-584
作者:  徐鹏;  孙亚莉
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一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法 专利
专利号: CN101593679A, 申请日期: 2009-12-02, 公开日期: 2009-12-02
作者:  蒋中伟;  王文新;  陈弘;  周均铭;  郭丽伟
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  徐应强
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  徐应强
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:  徐应强
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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖
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