用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)

	用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)
	孙浩 ; 齐鸣 ; 艾立鹍 ; 徐安怀 ; 滕腾 ; 朱福英
刊名	电子器件
	2011
期号	01
关键词	镓砷锑湿法腐蚀磷化铟双异质结晶体管
ISSN号	1005-9490
中文摘要	介绍了采用基于柠檬酸、硫酸和磷酸的腐蚀溶液对气态分子束外延生长的InP衬底上GaAs0.51Sb0.49湿法腐蚀研究工作。对不同体积比的腐蚀溶液的腐蚀速率和表面粗糙度进行了研究。和硫酸及磷酸基腐蚀液相比,柠檬酸/双氧水腐蚀液的腐蚀速率较慢但具有很好的表面粗糙度。作为验证,采用最优体积比5:1的柠檬酸/双氧水腐蚀溶液,工艺制备出InP/GaAsSbDHBT器件。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107074]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙浩,齐鸣,艾立鹍,等. 用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)[J]. 电子器件,2011(01).
APA	孙浩,齐鸣,艾立鹍,徐安怀,滕腾,&朱福英.(2011).用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文).电子器件(01).
MLA	孙浩,et al."用于InP基DHBT制备的GaAs_(0.51)Sb_(0.49)湿法腐蚀研究(英文)".电子器件 .01(2011).