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| 一种基于直流电容取电的多电平变流器电容动态均压方法 期刊论文
2016, 2016
魏应冬; 张春朋; 于心宇; 姜齐荣; WEI Yingdong; ZHANG Chunpeng; YU Xinyu; JIANG Qirong
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| 离子敏感场效应管传感器及其电流模式读出电路 专利
申请日期: 2015-01-01,
作者: 卫宝跃; 刘昱; 王倩; 张海英
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2018/02/09 |
| 离子敏感场效应管传感器及其电压模式读出电路 专利
申请日期: 2015-01-01,
作者: 张海英; 王倩; 刘昱; 卫宝跃
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2018/02/09 |
| 1 200 V/30 A SiC MOSFET的结构设计与特性仿真 期刊论文
2015, 卷号: 3, 页码: 1154-1158
作者: 杨勇; 封先锋; 林涛; 臧源; 蒲红斌
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 基于寄生参数的功率MOSFET数学建模及损耗分析 期刊论文
华东理工大学学报(自然科学版), 2014, 卷号: 第6期, 页码: 740-745
作者: 程龙; 胡存刚; 秦昌伟; 李国丽; 陈权
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| 亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型 期刊论文
电子学报, 2013, 卷号: 第11期, 页码: 2237-2241
作者: 徐春夏; 韩名君; 王敏; 王保童; 柯导明
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| 纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GTDZ200502004&dbname=CJFQ2005, 2012, 2012
蒲月皎; 刘丕均; 张亚非; 王印月
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| 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒 其他
2011-01-01
许铭真; 贾高升; 谭长华
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| 全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型 期刊论文
西安交通大学学报, 2011, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 73-77
作者: 刘林林; 李尊朝; 尤一龙; 徐进朋
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/10
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| 一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型 期刊论文
西安交通大学学报, 2010, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 77-81
作者: 尤一龙; 李尊朝; 刘林林; 徐进朋
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/10
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