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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：272/0  |  提交时间：2019/07/15
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/07/15
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18
总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 期刊论文
物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 9, 页码: 242-249
作者:  周航;  郑齐文;  崔江维;  余学峰;  郭旗;  任迪远;  余德昭;  苏丹丹;  郭旗;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2016/06/02
0.18 um部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 期刊论文
物理学报, 2015
作者:  赵星;  梅博;  毕津顺
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/26
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:  刘远;  陈海波;  何玉娟;  王信;  岳龙
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/06/26
电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 8, 页码: 250-256
作者:  周航;  崔江维;  郑齐文;  郭旗;  任迪远
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/06/26
部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 期刊论文
2015, 卷号: 0, 期号: 10, 页码: 394
作者:  王凯[1,2];  刘远[2];  陈海波[3];  邓婉玲[1];  恩云飞[2]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/10

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