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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于后栅工艺的自对准超陡倒掺杂器件的研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  吴彬能 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/10/18 一种半导体结构及其制造方法 专利 申请日期: 2012-04-19, 作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/30 高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453 作者:  林钢;  徐秋霞;  周华杰;  钟兴华 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮氧叠层栅介质  W／tin金属栅  非cmp平坦化   高性能42nm栅长CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: B05, 页码: 8，153-160 作者:  陈宝钦;  蒋浩杰;  吴德馨;  赵玉印;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/25 42nm栅长  Cmos器件  超陡倒掺杂  灰化工艺  高选择比  高各向异性  Co／ti自对准硅化物   70纳米器件工艺剖面结构的实现方法 专利 专利号: CN1360342, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26 作者:  徐秋霞;  钱鹤 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26