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Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET 期刊论文
2014
张茂添; 刘冠洲; 李成; 王尘; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩
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基于自支撑金刚石薄膜的晶体管和紫外探测器制备与性能研究 学位论文
: 上海大学, 2010
作者:  黄健[1]
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GaAs功率MESFET钝化的研究 学位论文
1998
作者:  曹昕
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凹槽栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析 期刊论文
西安交通大学学报, 1991, 期号: 3, 页码: 77-83
作者:  陈贵灿;  刘之行;  邵志标;  徐成贤;  李显志
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砷化镓 金属-半导体场效应晶体管的二维数值分析 期刊论文
西安交通大学学报, 1990, 期号: 1, 页码: 79-86
作者:  陈贵灿;  K.L.WANG;  刘之行;  邵志标
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使用非稳态输运模型的GaAs MESFET`s二维稳态模拟 学位论文
1990
作者:  曹洪卫
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砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究 期刊论文
应用科学学报, 1985, 期号: 02
杨新民; 王渭源; 王文骐
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UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管 期刊论文
半导体学报, 1982, 期号: 06
王渭源; 夏冠群; 卢建国; 詹千宝; 杨新民; 王文骐
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110228166.5, 公开日期: 2013-02-13
作者:  李俊峰;  罗军;  赵超;  钟汇才
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