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| Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET 期刊论文 2014 张茂添; 刘冠洲; 李成; 王尘; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩
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| 基于自支撑金刚石薄膜的晶体管和紫外探测器制备与性能研究 学位论文 : 上海大学, 2010 作者: 黄健[1]
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| GaAs功率MESFET钝化的研究 学位论文 1998 作者: 曹昕
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| 凹槽栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析 期刊论文 西安交通大学学报, 1991, 期号: 3, 页码: 77-83 作者: 陈贵灿; 刘之行; 邵志标; 徐成贤; 李显志
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| 砷化镓 金属-半导体场效应晶体管的二维数值分析 期刊论文 西安交通大学学报, 1990, 期号: 1, 页码: 79-86 作者: 陈贵灿; K.L.WANG; 刘之行; 邵志标
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| 使用非稳态输运模型的GaAs MESFET`s二维稳态模拟 学位论文 1990 作者: 曹洪卫
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| 砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究 期刊论文 应用科学学报, 1985, 期号: 02 杨新民; 王渭源; 王文骐
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| UHF应用的低噪声GaAs双栅场效应晶体管 期刊论文 半导体学报, 1982, 期号: 06 王渭源; 夏冠群; 卢建国; 詹千宝; 杨新民; 王文骐
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| 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201110228166.5, 公开日期: 2013-02-13 作者: 李俊峰 ; 罗军 ; 赵超 ; 钟汇才![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2012/12/16 |