半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	李俊峰; 罗军; 赵超; 钟汇才
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110228166.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成伪栅区和伪栅区的侧墙；在伪栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，以形成源漏区，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物；覆盖所述源漏区外延的金属硅化物层以形成层间介质层；去除所述伪栅区，形成开口；在所述开口内壁形成栅介质层，以及栅介质层上形成填满所述开口的金属栅电极。在形成替代栅之前，在栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，该外延层为肖特基势垒场效应晶体管器件的源漏区，由于该外延层覆盖所述器件的整个源漏区，且该外延源漏区与沟道之间的肖特基势垒高度被有效降低了，显著减小了器件的源漏寄生电阻，从而提高了器件的性能。
公开日期	2013-02-13
申请日期	2011-08-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/11229]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊峰,罗军,赵超,等. 半导体器件及其制造方法. CN201110228166.5.