半导体器件及其制造方法 | |
李俊峰![]() ![]() ![]() ![]() | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201110228166.5 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成伪栅区和伪栅区的侧墙;在伪栅区两侧的半导体衬底上形成外延层,以形成源漏区,所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物;覆盖所述源漏区外延的金属硅化物层以形成层间介质层;去除所述伪栅区,形成开口;在所述开口内壁形成栅介质层,以及栅介质层上形成填满所述开口的金属栅电极。在形成替代栅之前,在栅区两侧的半导体衬底上形成外延层,该外延层为肖特基势垒场效应晶体管器件的源漏区,由于该外延层覆盖所述器件的整个源漏区,且该外延源漏区与沟道之间的肖特基势垒高度被有效降低了,显著减小了器件的源漏寄生电阻,从而提高了器件的性能。 |
公开日期 | 2013-02-13 |
申请日期 | 2011-08-10 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11229] ![]() |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李俊峰,罗军,赵超,等. 半导体器件及其制造方法. CN201110228166.5. |
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