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130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/07/15
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/03
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/03/19
具有背向反射隔离器的集成激光器 专利
专利号: CN107820575A, 申请日期: 2018-03-20, 公开日期: 2018-03-20
作者:  郑学哲;  A·V·克里什纳莫西;  K·拉杰
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18
SOI NMOS侧壁晶体管总剂量辐射效应电流模型 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2018, 卷号: 38, 页码: 70-74
作者:  许灵达[1];  罗杰馨[2];  陈静[3];  何伟伟[4];  吴伟[5]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26
γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  苏丹丹
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/09/26
单电子晶体管与原子力扫描探针的集成 期刊论文
微纳电子技术, 2017, 卷号: 54, 页码: 413-418
作者:  刘永涛[1];  李欣幸[2];  张志鹏[3];  秦华[4];  俞圣雯[5]
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/24

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