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微电子研究所 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
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期刊论文 [2]
会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
2012 [1]
2007 [1]
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应用反短/窄沟效应优化亚阈值 SRAM 单元
期刊论文
哈尔滨工业大学学报, 2016
作者:
袁甲
;
陈黎明
;
蔡江铮
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/05/08
深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应
期刊论文
微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
孙静
;
任迪远
;
崔江维
;
汪波
;
玛丽娅
;
郭旗
;
李豫东
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2016/06/07
深亚微米
NMOSFET
总剂量效应
窄沟效应
深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2012
刘张李
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/04/24
总剂量辐射效应
陷阱正电荷
浅沟槽隔离氧化物
辐射加固
非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用
会议论文
第十六届全国半导体物理学术会议
作者:
杨建红
;
蔡雪原
;
张致琛
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/06/24
格林函数法
短沟效应
边界条件
窄沟效应
模型方程
氧化层厚度
面密度
量子隧道效应
电压偏移
解析表达式
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