非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用

	非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用
	杨建红; 蔡雪原; 张致琛
	2007-09-01
会议名称	第十六届全国半导体物理学术会议
关键词	格林函数法短沟效应边界条件窄沟效应模型方程氧化层厚度面密度量子隧道效应电压偏移解析表达式
页码	1
中文摘要	本论文采用非平衡格林函数(NEGF)法分析和处理纳米半导体器件中载流子的散射和输运问题, 建立了适用于纳米量级 MOS 器件的模型方程组,对诸如设置边界条件、提高收敛速度等特殊问题提出了解决方法。以此为基础,给出并分析了双栅 MOSFET 的能带和载流子面密度及其变化规律,在
会议录	第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107886]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨建红,蔡雪原,张致琛. 非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用[C]. 见:第十六届全国半导体物理学术会议.