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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 短漂移区静电感应晶体管的特性研究 期刊论文 半导体技术, 2013, 期号: 3, 页码: 194-198 作者:  张琳娇;  杨建红;  刘亚虎;  朱延超 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应晶体管(SIT)  短漂移区  势垒  I-V特性  响应时间   基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 专利 专利号: CN200910236718.X, 申请日期: 2012-11-21, 公开日期: 2011-05-11 作者:  毕津顺;  韩郑生;  刘刚;  刘梦新;  陈蕾 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/11/06 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件 专利 专利号: CN200810057921.6, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-08-26 作者:  范雪梅;  赵超荣;  韩郑生;  刘刚;  刘梦新 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件 专利 专利号: CN200810057936.2, 申请日期: 2010-07-28, 公开日期: 2009-08-26 作者:  毕津顺;  范雪梅;  赵超荣;  韩郑生;  刘梦新 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 短漂移区肖特基——p-i-n混合整流二极管（MPS）的电学特性研究 期刊论文 兰州大学学报, 2006, 期号: 3, 页码: 80-84 作者:  韩颖晖;  汪再兴;  闫锐;  杨建红 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 MPS  p-i-n  电导调制  肖特基势垒