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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| 基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24 作者: 王海丽; 赵懿昊; 张奇; 王文知; 仲莉
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| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174 作者: 许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
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| 4H-SiC单晶衬底的ICP刻蚀工艺研究 学位论文 2018 作者: 朱帅帅
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| AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 田迎冬
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| 酸预处理对于Fe-ZSM-5和Fe-beta分子筛催化消除N_2O的影响 期刊论文 催化学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 898-907 作者: Qian Guangren; Wu Minfang; Wang Hui; Zhong Liangshu; Zhang Xinyan
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| 激光干涉光刻法制备二氧化硅光子晶体抗反射膜 期刊论文 2014 陈辰; 钟金祥; 洪荣墩
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| 高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究 期刊论文 压电与声光, 2014 李悦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/11/11
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| ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制 期刊论文 固体电子研究与进展, 2012, 卷号: 32, 期号: 3 作者: 黄伟 ; 蔡勇 ; 张宝顺![](/image/person.jpg)
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012 江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
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