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微电子研究所 [3]
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2008 [1]
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PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 1
作者:
毕津顺
;
海潮和
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/05/27
部分耗尽绝缘体上硅
环形栅 浮体效应
体源连接
PDSOI体源连接环形栅nMOS特 性研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4,12_15
作者:
海潮和
;
毕津顺
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/26
部分耗尽绝缘体上硅
环形栅
浮体效应
体源连接
PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 4,234-237
作者:
韩郑生
;
赵洪辰
;
海潮和
;
钱鹤
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/05/26
浮体效应
辐照
Soi
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