PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响

	PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响
	韩郑生; 赵洪辰; 海潮和; 钱鹤
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:2 页码:4，234-237
关键词	浮体效应辐照 Soi
ISSN号	0253-4177
英文摘要	在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs，并研究了浮体效应对辐照性能的影响，在10^6rad(Si)总剂量辐照下，所有器件的亚阈特性未见明显变化．环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33％，其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高，在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤,浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力.
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1244]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	韩郑生,赵洪辰,海潮和,等. PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响[J]. 半导体学报,2005,26(2):4，234-237.
APA	韩郑生,赵洪辰,海潮和,&钱鹤.(2005).PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响.半导体学报,26(2),4，234-237.
MLA	韩郑生,et al."PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响".半导体学报 26.2(2005):4，234-237.