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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/25
高温环境
RADFETs
辐照响应
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
姚帅
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/11/19
双极模拟电路
单粒子瞬态
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
协同效应
变温辐照方法
仿真
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:
马腾
;
苏丹丹
;
周航
;
郑齐文
;
崔江维
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2018/10/18
场效应晶体管
可靠性
栅氧经时击穿
Γ射线
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