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| MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZAL200902031&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨
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| 硅衬底GaN基LED外延生长的研究 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 王质武; 冯玉春; 牛憨笨
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| 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 王文欣; 刘晓峰; 施炜; 牛憨笨
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| MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZAL200902031&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 牛憨笨
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| 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200607067&dbname=CJFQ2006, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 王文欣; 刘晓峰; 施炜; 牛憨笨
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| 硅衬底GaN基LED外延生长的研究 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
彭冬生; 王质武; 冯玉春; 牛憨笨
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| 蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GZXB200708020&dbname=CJFQ2007, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 王文欣; 刘晓峰; 施炜; 牛憨笨
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| 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=WLXB200607067&dbname=CJFQ2006, 2012, 2012
彭冬生; 冯玉春; 王文欣; 刘晓峰; 施炜; 牛憨笨
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| 微柱阵列的制备方法、阵列结构及生长晶体材料的方法 专利
专利号: CN102163545A, 申请日期: 2011-08-24, 公开日期: 2011-08-24
作者: 刘建奇; 王建峰; 任国强; 弓晓晶; 徐科
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| 基于横向外延生长的GaN LED 特性研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
王良吉
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