硅衬底GaN基LED外延生长的研究

CORC > 清华大学

	硅衬底GaN基LED外延生长的研究
	彭冬生 ; 王质武 ; 冯玉春 ; 牛憨笨
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009
	2012-04-26 ; 2012-04-26
关键词	硅衬底 GaN薄膜发光二极管(LED)
中文摘要	采用在AlN缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外延片,其外延片的总厚度约为1.9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)测试分析。结果表明,GaN薄膜(0002)面的半峰全宽(FWHM)降低到403 arcsec,其表面平整度得到了很大的改善;InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量良好。光致发光谱表明,GaN基LED峰值波长为469.2 nm。
语种	中文
其他责任者	深圳大学光电子器件与系统(教育部广东省)重点实验室 ; 深圳方大国科光电技术有限公司
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/244041/60]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	彭冬生,王质武,冯玉春,等. 硅衬底GaN基LED外延生长的研究[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009,2012, 2012.
APA	彭冬生,王质武,冯玉春,&牛憨笨.(2012).硅衬底GaN基LED外延生长的研究.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009.
MLA	彭冬生,et al."硅衬底GaN基LED外延生长的研究".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=YDSG200904028&dbname=CJFQ2009 (2012).