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| 高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究(英文) 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2175-2182 作者: 马函1,2; 孙静1; 何承发1; 荀明珠1
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利 专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04 作者: 卢烁今 ; 赵佳; 朱阳军 ; 陆江 ; 田晓丽![](/image/person.jpg)
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利 专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04 作者: 赵佳; 朱阳军 ; 胡爱斌; 卢烁今![](/image/person.jpg)
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| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维
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| O_3在栅氧清洗工艺中的研究和应用 学位论文 : 大连理工大学, 2018 作者: 唐小辉
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| 辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 周航
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| 辐射环境下的微纳米器件可靠性变化机理与试验方法研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 周航
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2017/09/26
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| 薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置 专利 专利号: CN106206681A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07 作者: 梁凌燕; 谢玉芳; 曹鸿涛
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| CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 文林
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