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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 长波长GaNAsBi/GaAs多量子阱激光器及其制备方法 专利 专利号: CN103280695B, 申请日期: 2016-04-27, 公开日期: 2016-04-27 作者:  曾徐路;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  于淑珍 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利 专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24 作者:  李亮;  刘应军;  汤宝;  王任凡 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 一种TM偏振的GaAsP/GaInP有源区808nm量子阱激光器 专利 专利号: CN103457158A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2013-12-18 作者:  李沛旭;  徐现刚;  张新;  蒋锴;  汤庆敏 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法 专利 专利号: CN103401144A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20 作者:  赵勇明;  董建荣;  李奎龙;  孙玉润;  曾徐路 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管 期刊论文 光电子·激光, 2002, 卷号: 13, 期号: 12 作者:  Wei;  Jiyong;  Huang;  Baibiao;  Yu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/14 激光二级管  大功率  无Al有源层