应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管 | |
Wei; Jiyong; Huang; Baibiao; Yu; Yongqin; Zhou; Hailong; Pan; Jiaoqing | |
刊名 | 光电子·激光
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2002 | |
卷号 | 13期号:12 |
关键词 | 激光二级管 大功率 无Al有源层 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6776215 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | 1.山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国. 2.山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei,Jiyong,Huang,等. 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管[J]. 光电子·激光,2002,13(12). |
APA | Wei.,Jiyong.,Huang.,Baibiao.,Yu.,...&齐云 更多.(2002).应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管.光电子·激光,13(12). |
MLA | Wei,et al."应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管".光电子·激光 13.12(2002). |
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