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应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管
Wei; Jiyong; Huang; Baibiao; Yu; Yongqin; Zhou; Hailong; Pan; Jiaoqing
刊名光电子·激光
2002
卷号13期号:12
关键词激光二级管 大功率 无Al有源层
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内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6776215
专题山东大学
作者单位1.山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250100, 中国.
2.山东大学晶体材料研究所, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东
推荐引用方式
GB/T 7714
Wei,Jiyong,Huang,等. 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管[J]. 光电子·激光,2002,13(12).
APA Wei.,Jiyong.,Huang.,Baibiao.,Yu.,...&齐云 更多.(2002).应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管.光电子·激光,13(12).
MLA Wei,et al."应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In0.5(GaAI)0.5P/GaAs大功率激光二级管".光电子·激光 13.12(2002).
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