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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究 其他 2009-01-01 陈思; 竺明达; 杜刚 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 抬高源漏 凹陷源漏 输运特性 串联电阻 蒙特卡罗 绝缘体上硅   TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究 期刊论文 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 4，44-46,50 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  中间禁带功函数  抬高源漏结构   采用新的抬高源漏工艺技术制作的全耗尽SOI CMOS器件和电路 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 5，672-676 作者:  连军;  海潮和 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 Fdsoi  Cmos  抬高源漏