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| 一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散多元素重稀土的方法 专利
专利号: CN202110613330.8, 申请日期: 2023-06-16, 公开日期: 2023-06-16
作者: 夏原; 许亿; 李光
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| 基于浓硼扩散工艺的硅纳米线热电结构研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
邓凌霄
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/06/01
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| 受控扩散凝固制备7075铝合金微观组织及力学性能研究 学位论文
2017
作者: 杨雄
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/11/05
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| Si_3N_4陶瓷与镍基高温合金的部分瞬间液相扩散工艺与机理的研究 学位论文
: 上海大学, 2016
作者: 兰亮[1]
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/04/26
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| 一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 高兴国
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 单晶硅太阳电池扩散工艺研究 学位论文
: 大连理工大学, 2014
作者: 原赜
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/11
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| 一种环保型无铬离子的水性磷酸盐基渗铝硅料浆 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
沈明礼, 朱圣龙 and 王福会
收藏 | 浏览/下载：77/0 | 提交时间：2013/06/06 |
| 一种用于制备大厚度MEMS结构层的浓硼掺杂方法(英文) 期刊论文
2013
孙道恒; 张豪尔; 占瞻; 何杰; 杜晓辉; 王凌云
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2016/05/17
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| Si基JBS整流二极管的设计与制备 期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 3, 页码: 180-183
作者: 王朝林; 王一帆; 岳红菊; 刘肃
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/04/27
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| 一种直流氧化锌电阻片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2013-12-16
段雷; 许高杰; 崔平
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2013/12/16 |
