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| 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 专利
专利号: CN201110030283.0, 申请日期: 2014-09-17, 公开日期: 2012-08-01
作者: 刘新宇 ; 汪宁; 陈中子; 陈晓娟; 罗卫军
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| 一种芯片背面金属起镀层结构及其制备方法 专利
专利号: CN201010162251.1, 申请日期: 2013-07-03, 公开日期: 2011-11-09
作者: 刘新宇; 魏珂; 罗卫军; 陈晓娟; 庞磊
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| 一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法 专利
专利号: CN200910307518.9, 申请日期: 2012-04-18, 公开日期: 2010-03-03
作者: 蒲颜; 刘新宇; 魏珂; 陈晓娟; 罗卫军
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| 双波束三天线微波交通信息检测雷达和方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102169180A, 申请日期: 2011-08-31, 公开日期: 2011-08-31
余稳; 张宙元; 方菲菲; 许鹏拓; 钱蓉; 孙晓玮
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| 一种低噪声SiGe微波单片放大电路 期刊论文
2010, 2010
鲁亚诗; 张伟; 李高庆; 刘道广; 李希有; 鲁勇; 刘爱华; 张翔; LU Ya-shi; ZHANG Wei; LI Gao-qing; LIU Dao-guang; LI Xiyou; LU Yong; LIU Ai-hua; ZHANG Xiang
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| 片外谐波吸收回路 专利
申请日期: 2010-06-03,
作者: 张海英; 张宗楠; 郝明丽
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| 0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计 期刊论文
电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4，1801-1803,1807
作者: 刘会东; 张海英; 孙肖磊; 陈普峰
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| 2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 4，1457-1460
作者: 黄清华; 刘训春; 郝明丽; 张宗楠; 杨浩
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| 微波宽带低噪声放大器电路及其在片测试技术研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2008
张健
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| 全芯片集成毫米波前端及其关键MMIC芯片技术研究 学位论文
博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2007
王闯
收藏 | 浏览/下载：343/0 | 提交时间：2012/03/06
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