2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器
黄清华; 刘训春; 郝明丽; 张宗楠; 杨浩
刊名半导体学报
2008
卷号29期号:8页码:4,1457-1460
关键词微波单片集成电路 低噪声放大器 Ka波段 噪声系数 高增益
ISSN号0253-4177
英文摘要报道了一种基于商用0.15μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的单片低噪声放大器,工作频率范围为23~36GHz.它采用自偏置结构.对晶体管栅宽进行了优化设计减小栅极电阻,以得到低的噪声系数.采用吸收回路和加电阻电容网络的直流偏置结构提高电路稳定性,用多谐振点方法和负反馈技术扩展带宽.测试结果表明,其噪声系数低于2.0dB,在31GHz处,噪声系数仅为1.6dB.在整个工作频带范围内,增益大于26dB,输入回波损耗大于11dB,输出回波损耗大于13dB.36GHz处的1dB压缩点输出功率为14dBm.芯片尺寸为2.4mm×1mm.
语种中文
公开日期2010-05-27
内容类型期刊论文
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/1876]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
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GB/T 7714
黄清华,刘训春,郝明丽,等. 2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器[J]. 半导体学报,2008,29(8):4,1457-1460.
APA 黄清华,刘训春,郝明丽,张宗楠,&杨浩.(2008).2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器.半导体学报,29(8),4,1457-1460.
MLA 黄清华,et al."2dB噪声系数的Ka波段宽带高增益单片低噪声放大器".半导体学报 29.8(2008):4,1457-1460.
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